1. 대표도

2. 발명의 명칭

소결체, 스퍼터링 타겟, 산화물 박막, 박막 트랜지스터 및 소결체의 제조방법(sintered body, sputtering target, oxide thin film, thin film transistor and method for producing sintered body)

3. 출원번호 / 출원일자

2024-0176793 / 2024.12.02

4. 등록번호 / 등록일자

2869632 / 2025.10.01

5. 요약

본 발명의 소결체는 In, Sn, Ga, Zn 및 O로 이루어지는 소결체로서, 상기 In 원자의 함유율은 상기 In 원자, 상기 Sn 원자, 상기 Zn 원자 및 상기 Ga 원자의 함유율 합계 대비 45 내지 65원자%이고, 상기 Ga 원자의 함유율은 상기 In 원자, 상기 Sn 원자, 상기 Zn 원자 및 상기 Ga 원자의 함유율 합계 대비 0원자% 초과, 30원자% 이하인 것일 수 있다. 본 발명의 소결체는 In, Sn, Ga, Zn 및 O로 이루어지고, 상기 소결체를 이용하여 제조된 스퍼터링 타겟으로 산화물 박막을 형성할 때, 대면적 증착 공정 중 과도한 산소 투입에 따른 파티클, 아킹 등으로 인한 불균일성을 개선할 수 있다.